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本文详细研究了扫描光荧光谱(PL Mapping)在半绝缘砷化镓(SI-GaAs)材料与器件性能关系中的应用,实验结果表明SI-GaAs单晶的 PL Map......
对高温退火非掺磷化铟(InP)制备的半绝缘晶片的电学性制质和均匀性进行了研究。非掺低阻N型磷化铟晶片分别在纯磷气氛和磷化铁气氛下......
利用光致发光光谱(Photoluminescence。简称PL)、光扫描系统(PLMapping)、原子力显微镜(Atomic Force Microscope,简称AFM)等测试手段,研究......